网站资质
自定内容

环境可靠性与电磁兼容试验中心

Environmental Reliability & EMC Test Center

资讯导航
 
 
广电计量推出芯片RA/ESD/FA/FIB等测试服务
作者:管理员    发布于:2020-04-25 23:45:14    文字:【】【】【
摘要:广电计量致力于针对产品设计、研制、使用、维修/维护全寿命周期中出现的失效产品,为客户提供高效快速的原材料、电子元器件、PCB、PCBA失效分析/故障根因分析和改进提升技术服务。
编号 分析分类 分析项目 分析项目
100 FA FIB Circuit Edit 0.25um 芯片线路修改 0.25um 
101 FA FIB Circuit Edit 0.18/0.15um 芯片线路修改 0.18/0.15um 
102 FA FIB Circuit Edit 0.13/0.11um 芯片线路修改 0.13/0.11um
103 FA FIB Circuit Edit 90nm 芯片线路修改 90nm
104 FA FIB Circuit Edit 65/45nm 芯片线路修改 65/45nm
105 FA FIB Circuit Edit 28nm 芯片线路修改 28nm
106 FA FIB Dual Beam 低阶双束聚焦离子束
107 FA FIB Dual Beam 高阶双束聚焦离子束
108 FA FIB Dual Beam Cross-Section 高阶双束聚焦离子束 (30um*7um)
109 FA FIB Dual Beam Cross-Section 高阶双束聚焦离子束 (10um*7um)
110 FA SEM (SE/BSE) imaging 扫描电镜 (SE/BSE)成像
111 FA UHR-SEM (SE/BSE) imaging 超高分辨率扫描电镜 (SE/BSE)成像
112 FA UHR-SEM EDX 超高分辨率扫描电镜 能谱分析
113 FA SEM EDX 扫描电镜 能谱分析
114 FA SEM EDX point 扫描电镜 能谱点分析
115 FA SEM EDX line/mapping 扫描电镜 能谱线扫/成像分析
116 FA SEM Sputter Coat Au/Pt 扫描电镜 喷金/铂
117 FA TEM Site Specific X-S Prep 透射电镜 定点截面样品制备
118 FA TEM Site Specific P-V Prep 透射电镜 定点平面样品制备
119 FA TEM Random P-V Prep 透射电镜 任意点平面样品制备
120 FA TEM Random X-S Prep 透射电镜 任意点截面 样品制备
121 FA TEM Imaging 透射电镜 上机机时
122 FA TEM X-S + P-V Package 透射电镜 平面转截面立体分析
123 FA TEM EDX Point 透射电镜EDX 点分析
124 FA TEM EDX Line Scan 透射电镜EDX 线扫
125 FA TEM EDX Mapping 透射电镜EDX 成像
126 FA STEM (BF DF HADDF) <200kx 扫描透射电子显微镜
127 FA STEM (BF DF HADDF) <400kx 扫描透射电子显微镜
128 FA Cleaving 裂片处理
129 FA Cross-Section Site Specific 切片 精确定位样品制备
130 FA Cross-Section Package 切片 封装截面样品制备
131 FA Cross-Section Random 切片 非定位样品制备
132 FA Sample Preparation 样品预制备
133 FA Cold Mount 冷镶埋
134 FA Hot Mount Wax 热蜡埋
135 FA Ion Mill CP (1000um-3000um) 离子切片 (1000um-3000um)
136 FA Ion Mill CP (Cryo) 离子切片 液氮冷却
137 FA IV Curve Trace Probing 电流-电压IV曲线探针测量
138 FA X-Ray(2D) 二维X射线
139 FA X-Ray(3D CT) 三维CT扫描高分辨
140 FA SAT C-SAM Low Frequency 声扫描显微 低频
141 FA SAT C-SAM High Frequency  声扫描显微 高频
142 FA EMMI InGaAs Front/Backside EMMI InGaAs 正面/反面
143 FA OBIRCH  Front/Backside OBIRCH 正面/反面
144 FA Thermal Imaging 热成像 封装/PCB
145 FA Thermal Microscopy 热点分析-芯片
146 FA Dye Penetration Red Ink 红墨水渗透试验
147 FA Dye Penetration Fluorescent  荧光渗透试验
148 FA Decap-Laser 开封 激光
149 FA Decap-MEMS 开封 MEMS
150 FA Decap-Cu Wire 开封 铜线
151 FA Decap-Ag Wire 开封 银线
152 FA Decap Special Package 开封 特殊封装
153 FA Decap Ceramic Package 开封 陶瓷封装
154 FA Decap Heat Sink 开封 去散热片
155 FA Decap COB Package 开封 COB封装
156 FA Decap Normal Package 开封 一般封装
157 FA Decap Flip Chip Package 开封 倒封装
158 FA Wire Bonding Remove 挑Bonding线
159 FA Re-Wire Bond Au 快封打线 金线
160 FA Polish Package Top-Down 研磨 封装正面
161 FA Polish Package Backside 研磨 封装背面
162 FA Polish Die Backside 研磨 芯片背面
163 FA Delayer PI Passivation 去层 钝化层为聚酰亚胺
164 FA Delayer SOT Package 去层 SOT带板子周边无其他器件
165 FA Delayer Large Board >10cm 去层 板子面积大于10cm*10cm并焊有器件
166 FA Delayer Wafer PI (Partial) 去层 局部wafer表面去除PI
167 FA Delayer Wafer PI (Full) 去层 整片wafer去除PI
168 FA Delayer Passivation  去层 钝化层
169 FA Delayer Gold Bump Remove 去层 金凸块
170 FA Delayer IMD 去层 绝缘层
171 FA Delayer Poly  去层 Ploy
172 FA Delayer Al Metal 去层 铝金属层
173 FA Delayer Cu Metal 去层 铜金属层
174 FA Delayer All Layer 去层 一次性全部层
175 FA Junction Stain pn结染色
176 FA Optical Microscope 显微镜使用
177 FA Die Attach 点胶封装
178 FA AFP (Atomic Force Probing) 28nm 原子力探针IV电测28nm
179 FA Nano Probe (SEM) >45nm 纳米探针IV测量
180 FA Nano Probe (SEM) <45nm 纳米探针IV测量
181 FA Shadow Moire (Temp Profile) 阴影云纹干涉仪(150 mm x 200 mm)
182 FA MEMS 3D NDT Imaging MEMS硅片三维无损成像
201 MA D-SIMS Profile (0.1um~6um) 二次离子磁质谱,Si深度分析(0.1um~6um)
202 MA D-SIMS Si Bulk B 二次离子磁质谱,Si Bulk B
203 MA D-SIMS Si Bulk P/As/Sb 二次离子磁质谱,Si Bulk P/As/Sb
204 MA D-SIMS Si Bulk B+P 二次离子磁质谱,Si Bulk B+P
205 MA D-SIMS Si Bulk C+O 二次离子磁质谱,Si Bulk C+O
206 MA D-SIMS III-V 二次离子磁质谱,III-V GaAs GaN InP
207 MA D-SIMS Die Sample Prep 单个芯片SIMS制备
208 MA SRP 扩展电阻测试
209 MA TOF-SIMS Surface (+ or - ion) 飞行时间二次离子质谱 表面(正离子或负离子)
210 MA TOF-SIMS Depth Profile 飞行时间二次离子质谱 深度分析 (<1um)
211 MA Auger Surface Scan 俄歇能谱 表面
212 MA Auger Line Scan 俄歇能谱 线扫
213 MA Auger Mapping 俄歇能谱 成像
214 MA Auger Depth Profile 俄歇能谱 深度分析 (3元素 30步)
215 MA XPS Surface X光电子能谱 表面价态(含5nm刻蚀)
216 MA XPS Depth Profile X光电子能谱 深度分析 (3元素 30步)
217 MA UPS 紫外光电子能谱
218 MA GDMS 辉光放电质谱
219 MA ICP-OES 电感耦合等离子体原子发射光谱
220 MA ICP-MS (ppb) 电感耦合等离子体质谱(ppb)
221 MA VPD-ICP-MS VPD电感耦合等离子体质谱
222 MA FTIR 傅里叶红外光谱
223 MA FTIR-Microscope 傅里叶红外光谱 微区显微
224 MA EBSD Analysis 电子背散射衍射分析
225 MA Spectroscopy Ellipsometry 光谱型椭偏仪
226 MA Stylus Profiler 台阶仪
227 MA Surface Profiler Optical 表面轮廓 光学测量
228 MA XRD (Std Sample) X射线衍射
229 MA XRR (Std Sample) X射线反射
230 MA XRF (Energy Dispersive) X射线荧光光谱 (能谱)
231 MA TXRF 全反射X射线荧光光谱(单源)
232 MA EPMA 电子探针显微分析
233 MA Thermal Analysis
(DSC, TGA, TMA, DMA)
热分析
(DSC, TGA, TMA, DMA)
234 MA Ion Chromatography 离子色谱
235 MA GC-MS 气相色谱-质谱分析
236 MA GC 气相色谱仪
237 MA GPC 凝胶色谱
238 MA AFM 原子力显微镜
239 MA CAFM / TUNA 导电式原子力显微镜
240 MA CAFM / TUNA Temperature 温度导电式原子力显微镜
241 MA SSRM 扫描扩展电阻显微镜
242 MA SCM 扫描式电容显微镜
243 MA MFM 磁力显微镜
244 MA Nano Indentation (AFM) 纳米压痕 (AFM)
245 MA Nano Scratch 纳米划痕
246 MA Hardness (Vickers Rockwell) 硬度测试(维氏,洛氏)
247 MA Raman 拉曼显微
248 MA DLTS 高能分辨率深能级瞬态谱仪
249 MA Electrical Conductivity 导电系数
250 MA Thermal Conductivity 导热系数
251 MA LFA LaserFlash Analysis 热导系数/比热容(激光导热仪)
252 MA Residue Stress Analysis 残留应力测试(标准样品)
253 MA Intergranular Corrosion Test 奥氏体不锈钢晶间腐蚀
254 MA Carbon Sulfur Analyzer 碳硫分析仪LECO
255 MA Contact Angle 水接触角测试
256 MA 3Point Bend 3点弯曲
257 MA 4Point Bend 4点弯曲
258 MA Universal testing machine 机械性能万能试验机
259 MA DLS Dynamic Light Scattering 激光粒度仪
300 REL Pull/Shear Test 金线推拉力
301 REL Moisture Analyzer  卤素水分测试仪
302 REL Vibration Test 振动试验(V850)(<100kg,边长<60cm)
303 REL Drop Test 跌落试验10次(<60kg,边长<80cm)
304 REL Baking 烘烤
305 REL HAST HAST
306 REL uHAST uHAST
307 REL TST 高低温冲击(常规)
308 REL HTS 高温存储(常规)
309 REL HTRB 高温反向偏压实验(常规)
310 REL HTGB 高温Gate偏压实验(常规)
311 REL HTST 高低温存储(常规)
312 REL TCT 高低温循环
313 REL HTOL/LTOL 高低温操作寿命实验
314 REL PCT 高温蒸煮
315 ESD ESD Test HBM/MM/Latch Up 静电测试 HBM/MM/Latch Up
316 ESD ESD TLP 静电测试 传输线脉冲
317 ESD I-V Curve Hanwa 静电测试 曲线测试
318 ESD ESD CDM 静电测试 CDM模式
319 ESD Tester Setup 芯片状态预置
400 Repair Instrument Repair 仪器设备维修
500 Report CNAS/CMA/17025 Certified Report CNAS正式签字报告
501 Report GRGT Official Report 广电计量盖章报告
201 MA D-SIMS Profile (0.1um~6um) 二次离子磁质谱,Si深度分析 B注入能量>10kV (深度0.1um~6um)
201 MA D-SIMS Profile (0.1um~6um) 二次离子磁质谱,Si深度分析 B注入能量5kV-10kV (深度0.1um~6um)
201 MA D-SIMS Profile (0.1um~6um) 二次离子磁质谱,Si深度分析 B注入能量<5kV (深度0.1um~6um)
201 MA D-SIMS Profile (0.1um~6um) 二次离子磁质谱,Si深度分析 P注入能量>30kV (深度0.1um~6um)
201 MA D-SIMS Profile (0.1um~6um) 二次离子磁质谱,Si深度分析 P注入能量15kV-30kV (深度0.1um~6um)
201 MA D-SIMS Profile (0.1um~6um) 二次离子磁质谱,Si深度分析 P注入能量<15kV (深度0.1um~6um)
202 MA D-SIMS Si Bulk B 二次离子磁质谱,Si Bulk B DL5E13
202 MA D-SIMS Si Bulk B 二次离子磁质谱,Si Bulk B DL1E13
202 MA D-SIMS Si Bulk B 二次离子磁质谱,Si Bulk B DL5E12
203 MA D-SIMS Si Bulk P/As/Sb 二次离子磁质谱,Si Bulk P/As/Sb DL5E14
203 MA D-SIMS Si Bulk P/As/Sb 二次离子磁质谱,Si Bulk P/As/Sb DL1E14
203 MA D-SIMS Si Bulk P/As/Sb 二次离子磁质谱,Si Bulk P/As/Sb DL5E13
203 MA D-SIMS Si Bulk P/As/Sb 二次离子磁质谱,Si Bulk P/As/Sb DL1E13
204 MA D-SIMS Si Bulk B+P 二次离子磁质谱,Si Bulk B+P
205 MA D-SIMS Si Bulk C+O 二次离子磁质谱,Si Bulk C+O
206 MA D-SIMS III-V 二次离子磁质谱,III-V GaAs GaN InP (深度0.1um~2um)
206 MA D-SIMS III-V 二次离子磁质谱,III-V GaAs GaN InP (深度2um~4um)
207 MA D-SIMS Die Sample Prep 单个芯片SIMS制备
208 MA SRP 扩展电阻测试
209 MA TOF-SIMS Surface (+ or - ion) 飞行时间二次离子质谱 表面(正离子或负离子)
210 MA TOF-SIMS Depth Profile 飞行时间二次离子质谱 深度分析 (<1um)
标签:芯片测试 FIB ESD
0